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碳化硅SDS120J030G3

相对于第一代(硅基)半导体,第三代半导体禁带宽度大,电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍,具有更强的耐高压、高功率能力。

碳化硅器件在具体应用场景中表现出的特性是:1、耐高温:硅基材料120°C场景需要散热,使用SiC在175°C结温不需要散热,可承受600°C以上高温环境。

碳化硅功率器件在高功率高压领域有广泛的潜在应用,目前在600-1700V的光伏逆变、工业电源、新能源汽车、数据中心等领域已得到广泛应用。


ID
型号(碳化硅)
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最大漏极电压
最大漏极电流
导通内阻
封装
栅极总电荷
反向恢复电荷
652564282113785856

SDS120J030G3

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TO-247-3L
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