碳化硅衬底材料能量损失更小。在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；

800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间。

碳化硅器件在具体应用场景中表现出的特性是：

耐高温:硅基材料120°C场景需要散热，使用SiC在175°C结温不需要散热，可承受600°C以上高温环境。

SiC MOSFET或SiC MOSFET+SiCSBD模组的光伏逆变器能将转换效率由96%提升至99%以上，能量损耗可降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。

对于100kW的太阳能逆变器，其平均需要30-50颗SiC器件。二极管与三极管比例在4:1与5:1之间。据CASA预测，2025年光伏逆变器中SiC器件价值

占比将增长至50%。