 0755-27597068
氮化镓KT65C1R070D

KT65C1R070D采用8 x 8 DFN封装、650V、70 mΩ氮化镓FET。它是一款常关器件,将最新的高压氮化镓 HEMT与低压硅 MOSFET相结合,提供卓越的可靠性和性能。KT65C1R070D
经JEDEC认证,先进的动态RDSon测试,具有宽栅极安全裕度、低反向恢复的特性。符合RoHS、REACH、无卤标准。提高硬开关和软开关电路的效率(增加功率密度、减小系统尺寸和重量、整体系统成本较低),也兼容传统Si驱动器。
D-Mode氮化镓二维电子气浓度高,方阻低,共源共栅阈值电压为3V, VGS耐压在±20V,之间,动态电阻小于1.1,驱动更简单

ID
型号(氮化镓)
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最大漏极电压
最大漏极电流
导通内阻
封装
栅极总电荷
反向恢复电荷
652564282113785856

KT65C1R070D

详情
650V
24A
70mΩ
DFN8*8
9.5nC
110nC
652564282113785856

KT65C1R120D

详情
650V
17A
120mΩ
DFN8*8
16.2nC
84nC
652564282113785856

KT65C1R200D

详情
650V
12A
200mΩ
DFN8*8
11.9nC
53nC
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